中国光刻机的实验室曝光!能生产22纳米芯片

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视频介绍

2019-01-03 09:31:41

国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”29日通过验收,这是我国成功研制出的世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制,光刻分辨力达到22纳米,结合多重曝光技术后,可用于制造10纳米级别的芯片。中科院理化技术研究所许祖彦院士等验收组专家一致表示,该光刻机在365纳米光源波长下,单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。项目在原理上突破分辨力衍射极限,建立了三根高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线,绕过了国外相关知识产权壁垒。为突破极限、取得更高的精度,国际上目前采用缩短光波、增加成像系统数值孔径等技术路径来改进光刻机,但也遇到装备成本高、效率低等阻碍。项目副总师胡松介绍,中科院光电所此次通过验收的皮下组织等离子体超分辨光刻装备,打破了传统路线格局,形成了三根全新的纳米光学光刻技术路线,具有完整篇 自主知识产权,为超材料/超皮下组织、第三代光学器件、广义芯片等变革性领域的跨越式发展提供了制造工具。